由工业纳米材料研究所的Kazuto Hatakeyama助理教授和Shintaro Ida教授领导的熊本大学研究团队，宣布在氢离子屏障膜领域取得了重要进展，采用了缺乏内部孔的氧化石墨烯(GO)。这种创新方法有望在多种应用的保护涂层中实现显著突破。
在研究过程中，团队成功合成并开发了一种全新的无孔氧化石墨烯薄膜。传统的氧化石墨烯因其高离子导电性而面临作为离子屏障的挑战，但通过去除内部孔隙，研究小组创造了一种显著提升氢离子屏障性能的材料。
基于交流阻抗谱的面外质子电导率结果显示，与传统氧化石墨烯薄膜相比，新型薄膜的氢离子屏障性能提高了高达10万倍。这一突破也通过实验得到了验证，无孔氧化石墨烯涂层有效保护锂箔免受水滴侵害，阻止了锂与水的反应。
研究还证实了氢离子在传统氧化石墨烯孔隙中的移动，强调了消除这些孔隙以增强屏障能力的重要性。这一进展为保护涂层、防锈和氢基础设施的新应用开辟了可能性。
这项研究标志着材料科学的重大进展，可能为下一代具有更强保护性能的涂料铺平道路。“展望未来，我们计划在实际应用中利用氢离子屏障性能，同时解决氧化石墨烯结构中‘孔隙’带来的挑战，以解锁更多功能，”Hatakeyama助理教授解释道，并概述了他的下一步研究计划。
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